天眼查App顯示,近日,華北電力科學(xué)研究院有限責(zé)任公司與國家電網(wǎng)有限公司共同研發(fā)的“基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的IGBT缺陷定位方法及系統(tǒng)”正式獲得發(fā)明專利,專利號(hào)為CN202411756978.0。該技術(shù)旨在通過分析IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在關(guān)斷過程中的柵極電壓變化,實(shí)現(xiàn)對內(nèi)部缺陷的精準(zhǔn)定位。
該技術(shù)的核心在于獲取目標(biāo)IGBT的芯片總數(shù)和檢測數(shù)據(jù),包括在關(guān)斷過程的柵極電壓下降階段的正常柵極電壓、實(shí)際柵極電壓、第一正常時(shí)長、第一實(shí)際時(shí)長,以及在米勒平臺(tái)階段的第二正常時(shí)長和第二實(shí)際時(shí)長。通過對比這些數(shù)據(jù),系統(tǒng)能夠準(zhǔn)確判斷IGBT內(nèi)部是否存在缺陷,并確定缺陷的具體位置。
據(jù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)介紹,該技術(shù)的應(yīng)用將極大提升IGBT的維護(hù)效率,減少因設(shè)備故障導(dǎo)致的電力系統(tǒng)中斷。目前,該技術(shù)已進(jìn)入公開階段,預(yù)計(jì)將在2024年底正式投入使用。
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