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DoNews6月8日消息，SK海力士8日宣布，已開始量產(chǎn)238層4D NAND閃存，并正在與生產(chǎn)智能手機的海外客戶公司進行產(chǎn)品驗證。此前，公司于2022年8月成功開發(fā)出世界最高238層NAND閃存。

238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。

此產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。

并且也改善了約20%的讀寫性能，由此公司自信，可將為采用該產(chǎn)品的智能手機和PC客戶提供更高的性能。

SK海力士計劃在完成智能手機客戶公司的驗證后，首先向移動端產(chǎn)品供應238層NAND閃存，隨后將其適用范圍擴大到基于PCIe 5.0*的PC固態(tài)硬盤（SSD）和數(shù)據(jù)中心級高容量固態(tài)硬盤產(chǎn)品等。