国产一区高清|日韩精品一区人妻|曰夲AV一区二区|美日韩一区二区三区|国产喷水在线观看|狼友网站成人大全|欧美日韩制服中文视频在线|久草加勒比手机在线|婷婷色综合无码专区|japanese 精品视频在线观看

天眼查App顯示，中芯國際集成電路制造（北京）有限公司與中芯國際集成電路制造（上海）有限公司聯(lián)合申請的一項發(fā)明專利“半導體結構及其形成方法”于2023年6月29日正式公開。該專利的核心創(chuàng)新在于對準標記層的設計，其透光率低于基底和覆蓋層，從而在覆蓋層下仍能清晰識別對準標記層。

該專利的發(fā)明人包括宋孟夏、陳楠、馬德敬和朱娜。專利技術通過優(yōu)化對準標記層的尺寸、形貌和位置精度，確保其在覆蓋層厚度變化時仍能保持高精度，進而提升后續(xù)圖形化制程中的光學對準精度。這一技術突破不僅提高了半導體結構的性能，還為半導體制造工藝的進一步優(yōu)化提供了新的可能性。

中芯國際作為中國領先的半導體制造企業(yè)，此次專利的公開再次展示了其在技術創(chuàng)新方面的實力。該專利的推廣應用有望為半導體行業(yè)帶來新的技術突破，推動整個行業(yè)的技術進步。

風險警告：本文根據(jù)網(wǎng)絡內容由AI生成，內容僅供參考，不應作為專業(yè)建議或決策依據(jù)。用戶應自行判斷和驗證信息的準確性和可靠性，本站不承擔可能產生的任何風險和責任。內容如有問題，可聯(lián)系本站刪除。