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天眼查App顯示，中芯國際集成電路制造（天津）有限公司、中芯國際集成電路制造（北京）有限公司及中芯國際集成電路制造（上海）有限公司聯(lián)合申請了一項名為“GOI測試結構”的發(fā)明專利，該專利已于2023年6月28日公布，預計將于2024年12月31日正式公開。

該專利涉及一種新型的GOI（Gate Oxide Integrity，柵氧化層完整性）測試結構，主要用于集成電路制造過程中的質量檢測。專利的核心技術在于其獨特的柵極結構設計，該結構僅覆蓋基底有源區(qū)的一部分，從而在測試時能夠更準確地評估柵介質層的完整性。

專利摘要顯示，該測試結構包括基底和柵極結構，柵極結構覆蓋基底有源區(qū)的部分區(qū)域，并作為第一測試端。在柵極結構暴露的基底中設有拾取端，作為第二測試端。通過這種設計，測試電流可以在同一有源區(qū)的基底中流動，避免了淺槽隔離結構對測試結果的影響，從而提高了測試的可靠性。

該專利的發(fā)明人牛剛、趙曉東和于濤表示，這一技術突破將有助于提升集成電路制造過程中的質量控制，減少因測試誤差導致的產品缺陷。

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