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天眼查App顯示，近日，中芯國際集成電路制造（北京）有限公司和上海有限公司聯(lián)合公開了一項名為“半導體結構及形成方法”的發(fā)明專利，專利號為CN202310781088.4。該專利涉及一種新型半導體結構及其形成方法，旨在通過優(yōu)化晶圓鍵合技術，提升半導體器件的整體性能。

根據(jù)專利摘要，該半導體結構包括第一晶圓和第二晶圓，兩者通過鍵合面相互連接。第一晶圓和第二晶圓的鍵合面上分別設有鍵合標記，且晶圓的邊緣側壁具有定位缺口。通過精確對準鍵合標記，并確保定位缺口的投影不重疊，該技術能夠有效減少鍵合過程中的誤差，從而提高半導體結構的可靠性和性能。

中芯國際作為中國領先的半導體制造企業(yè)，一直致力于技術創(chuàng)新和工藝優(yōu)化。此次公開的專利不僅展示了公司在半導體制造領域的技術實力，也為未來半導體器件的性能提升提供了新的解決方案。

該專利預計將于2024年12月31日正式公布，屆時將進一步推動半導體行業(yè)的技術進步。

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