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華虹半導(dǎo)體擬收購(gòu)華力微控股權(quán)，解決同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題，整合65/55nm至40nm工藝資產(chǎn)，提升生產(chǎn)效率。

芯朋微2025年上半年?duì)I收6.36億元，凈利9049萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)40.32%和106.02%。

華虹半導(dǎo)體2025年二季度銷售收入5.661億美元，同比增長(zhǎng)18.3%，毛利率10.9%，歸母凈利潤(rùn)800萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)19.2%。

盛美上海2025年上半年?duì)I收32.65億元，凈利6.96億元，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，研發(fā)投入同比增39.47%。

瀚博半導(dǎo)體啟動(dòng)A股IPO，專注GPU芯片研發(fā)，獲多家知名機(jī)構(gòu)投資。

英特爾CEO陳立武承認(rèn)公司已非頭部半導(dǎo)體企業(yè)，面臨技術(shù)和財(cái)務(wù)挑戰(zhàn)，正大規(guī)模裁員并調(diào)整戰(zhàn)略以提升競(jìng)爭(zhēng)力。

華大九天終止收購(gòu)芯和半導(dǎo)體，交易告吹。

屹唐股份在上交所科創(chuàng)板上市，開盤價(jià)26.20元，市值774億元。公司為全球化半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)，近三年?duì)I收均超39億元，2025年一季度營(yíng)收和凈利潤(rùn)雙增長(zhǎng)。

長(zhǎng)鑫科技擬IPO，專注DRAM存儲(chǔ)芯片研發(fā)生產(chǎn)，2025年產(chǎn)能與市占率將顯著提升。

三星電子2025年Q2銷售額74萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)4.6萬(wàn)億韓元，同比大幅下滑，主因半導(dǎo)體業(yè)務(wù)低迷及庫(kù)存減值影響。

芯邁半導(dǎo)體擬港交所上市，小米基金、寧德時(shí)代為股東。公司采用Fab-Lite模式，近年?duì)I收及利潤(rùn)持續(xù)下滑。

豪威集團(tuán)擬港交所上市，2025年Q1營(yíng)收64.72億元，凈利8.66億元，圖像傳感器業(yè)務(wù)占比超七成。

南京芯啟源被曝停發(fā)工資、暴力裁員，員工稱遭不公待遇，公司為國(guó)際領(lǐng)先的集成電路企業(yè)。

注意！

營(yíng)收 9.11 億元。

安徽富樂(lè)德科技發(fā)展股份有限公司近日公開了一項(xiàng)新型半導(dǎo)體不銹鋼TTN膜的清洗裝置及工藝專利，該技術(shù)通過(guò)自動(dòng)化機(jī)械臂和多重清洗槽體，實(shí)現(xiàn)了高效、精準(zhǔn)的清洗過(guò)程。

浙江求是半導(dǎo)體設(shè)備有限公司與浙江晶盛機(jī)電股份有限公司聯(lián)合研發(fā)的新型圖像采集裝置及硅片檢測(cè)方法，近日獲得發(fā)明專利授權(quán)。該技術(shù)通過(guò)優(yōu)化圖像采集和識(shí)別流程，顯著提高了硅片缺陷檢測(cè)的效率。

浙江求是半導(dǎo)體設(shè)備有限公司與浙江晶盛機(jī)電股份有限公司聯(lián)合研發(fā)了一種新型拋光設(shè)備，該設(shè)備通過(guò)創(chuàng)新的布設(shè)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效提高了拋光墊的粘貼品質(zhì)，解決了半導(dǎo)體拋光技術(shù)中的關(guān)鍵問(wèn)題。

上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司近日公開了一項(xiàng)新型清洗液專利，該清洗液具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和清洗效果，適用于半導(dǎo)體制造中的多種應(yīng)用場(chǎng)景。

上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司近日公開了一項(xiàng)新型清洗液專利，該清洗液具有優(yōu)異的清洗效果和腐蝕選擇性，適用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中的多種材料處理。

箭牌家居集團(tuán)股份有限公司與佛山市高明安華陶瓷潔具有限公司聯(lián)合研發(fā)的新型烘干裝置，通過(guò)半導(dǎo)體控溫技術(shù)實(shí)現(xiàn)冷熱切換，為用戶提供多樣化的烘干模式，進(jìn)一步提升智能衛(wèi)浴產(chǎn)品的使用體驗(yàn)。

橫店集團(tuán)東磁股份有限公司近日公開了一項(xiàng)名為“硅片檢測(cè)剔除系統(tǒng)及硅片檢測(cè)剔除方法”的發(fā)明專利，該系統(tǒng)通過(guò)自動(dòng)化技術(shù)有效清除硅片生產(chǎn)中的疊片及碎片問(wèn)題。

江蘇艾森半導(dǎo)體材料股份有限公司近日公開了一項(xiàng)關(guān)于感光性聚酰亞胺組合物的發(fā)明專利，該技術(shù)具有優(yōu)異的堿溶性和精細(xì)圖案復(fù)制能力，適用于多種工業(yè)應(yīng)用。

深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司近日申請(qǐng)了一項(xiàng)關(guān)于內(nèi)存測(cè)試方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備的發(fā)明專利，該專利涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，旨在提高內(nèi)存測(cè)試的效率和準(zhǔn)確性。

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司近日公開了一項(xiàng)新型IGBT器件的制造方法，該方法通過(guò)減少光刻工藝次數(shù)，顯著降低了制造成本。

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司近日公開了一項(xiàng)名為“一種IGBT器件的制造方法”的發(fā)明專利，該專利通過(guò)減少光刻工藝次數(shù)，顯著降低了IGBT器件的制造成本。

晶芯成（北京）科技有限公司與合肥晶合集成電路股份有限公司聯(lián)合申請(qǐng)了一項(xiàng)關(guān)于掩膜圖案生成方法及半導(dǎo)體封裝器件的發(fā)明專利，該技術(shù)通過(guò)優(yōu)化掩膜圖案設(shè)計(jì)，顯著提升了半導(dǎo)體封裝器件的性能。

合肥晶合集成電路股份有限公司近日公開了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，該專利通過(guò)創(chuàng)新的兩步通孔形成技術(shù)，有效解決了半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵問(wèn)題。

東芯半導(dǎo)體股份有限公司近日公開了一項(xiàng)名為“DDR時(shí)鐘同步系統(tǒng)和具備該系統(tǒng)的DDR內(nèi)存芯片”的發(fā)明專利，該系統(tǒng)通過(guò)創(chuàng)新的時(shí)鐘信號(hào)調(diào)整技術(shù)，顯著提升了DDR內(nèi)存芯片的性能和穩(wěn)定性。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司近日公開了一項(xiàng)名為“載臺(tái)”的發(fā)明專利，該技術(shù)通過(guò)簡(jiǎn)化零件結(jié)構(gòu)和采用通用機(jī)械制造工藝，顯著降低了晶圓處理成本，并提高了設(shè)備的能效和適用性。